Kjøpe EPC2012CENGR med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
---|---|
Teknologi: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Leverandør Enhetspakke: | Die Outline (4-Solder Bar) |
Serie: | eGaN® |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 3A, 5V |
Strømdissipasjon (maks): | - |
emballasje: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle: | Die |
Andre navn: | 917-EPC2012CENGRTR |
Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens varenummer: | EPC2012CENGR |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 100pF @ 100V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 1nC @ 5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
Email: | [email protected] |