Kongeriket
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Om oss | Kontakt oss | Etterspør et sitat |
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > EPC8010
EPC8010
EPC8010
Delenummer:
EPC8010
Produsent:
EPC
Beskrivelse:
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
12325 Pieces
Dataark:
1.EPC8010.pdf2.EPC8010.pdf
Forespørsel

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for EPC8010, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for EPC8010 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe EPC8010 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (maks):+6V, -4V
Teknologi:GaNFET (Gallium Nitride)
Leverandør Enhetspakke:Die
Serie:eGaN®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 500mA, 5V
Strømdissipasjon (maks):-
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:Die
Andre navn:917-1086-2
Driftstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:14 Weeks
Produsentens varenummer:EPC8010
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:55pF @ 50V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:0.48nC @ 5V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):5V
Drain til Source Voltage (VDSS):100V
Beskrivelse:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer

Beslektede deler til EPC8010

Bilde Delenummer produsenter Beskrivelse Utsikt
EPC8009 Image EPC8009 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE Forespørsel
EPC8009ENGR Image EPC8009ENGR EPC TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE Forespørsel
EPC8002ENGR Image EPC8002ENGR EPC TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE Forespørsel
EPC8003ENGR Image EPC8003ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE Forespørsel
EPC8010ENGR Image EPC8010ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE Forespørsel
EPC8008ENGR Image EPC8008ENGR EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE Forespørsel
FDD6760A Image FDD6760A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET NCH 25V 27A DPAK Forespørsel
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE Forespørsel
NVMFS5C430NLT3G Image NVMFS5C430NLT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL Forespørsel
EPC8007ENGR Image EPC8007ENGR EPC TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE Forespørsel
EPC8004ENGR Image EPC8004ENGR EPC TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE Forespørsel
DMN3032LE-13 Image DMN3032LE-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Forespørsel
TPH3206LD Image TPH3206LD Transphorm GAN FET 600V 17A PQFN88 Forespørsel
EPC8004 Image EPC8004 EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE Forespørsel
IXFK30N100Q2 Image IXFK30N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264 Forespørsel
FQD10N20LTF Image FQD10N20LTF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK Forespørsel
EPC8005ENGR Image EPC8005ENGR EPC TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE Forespørsel
IRFR430APBF Image IRFR430APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5A DPAK Forespørsel
NTD4806N-35G Image NTD4806N-35G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11A IPAK Forespørsel

Latest News