Kjøpe JAN1N5417US med BYCHPS
Kjøp med garanti
JAN1N5417US
- Delenummer:
- JAN1N5417US
- Produsent:
- Microsemi
- Beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
- Lead Free Status / RoHS Status:
- Inneholder bly / RoHS ikke-kompatibel
- Tilgjengelig mengde:
- 18210 Pieces
- Dataark:
- JAN1N5417US.pdf
Introduksjon
BYCHIPS er strømprodusenten for JAN1N5417US, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss din kjøpsplan for JAN1N5417US via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
spesifikasjoner
| Spenning - Videresend (Vf) (Maks) @ Hvis: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Spenning - DC-omvendt (Vr) (Maks): | 200V |
| Leverandør Enhetspakke: | B, SQ-MELF |
| Hastighet: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Omvendt gjenopprettingstid (trr): | 150ns |
| emballasje: | Bulk |
| Pakke / tilfelle: | SQ-MELF, B |
| Andre navn: | 1086-2089 1086-2089-MIL |
| Driftstemperatur - Kobling: | -65°C ~ 175°C |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Produsentens varenummer: | JAN1N5417US |
| Utvidet beskrivelse: | Diode Standard 200V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Diodetype: | Standard |
| Beskrivelse: | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
| Strøm - Omvendt lekkasje @ Vr: | 1µA @ 200V |
| Gjeldende - Gjennomsnittlig Rectified (Io): | 3A |
| Kapasitans @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til JAN1N5417US
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Forespørsel |
 |
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Forespørsel |
|
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Forespørsel |
 |
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Forespørsel |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Forespørsel |
|
JAN1N5416US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Forespørsel |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Forespørsel |
 |
JAN1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Forespørsel |
|
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | Forespørsel |
|
JAN1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Forespørsel |
|
JAN1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Forespørsel |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog