Kjøpe AOI4S60 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4.1V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | TO-251A |
Serie: | aMOS™ |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 900 mOhm @ 2A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 56.8W (Tc) |
emballasje: | Tube |
Pakke / tilfelle: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 16 Weeks |
Produsentens varenummer: | AOI4S60 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 263pF @ 100V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 4A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251A |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 4A TO251A |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |