Kjøpe DMN1019USN-7 med BYCHPS
Kjøp med garanti
DMN1019USN-7
- Delenummer:
- DMN1019USN-7
- Produsent:
- Diodes Incorporated
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
- Lead Free Status / RoHS Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Tilgjengelig mengde:
- 14259 Pieces
- Dataark:
- DMN1019USN-7.pdf
Introduksjon
BYCHIPS er strømprodusenten for DMN1019USN-7, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss din kjøpsplan for DMN1019USN-7 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
spesifikasjoner
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 800mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (maks): | ±8V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | SC-59 |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Strømdissipasjon (maks): | 680mW (Ta) |
| emballasje: | Original-Reel® |
| Pakke / tilfelle: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andre navn: | DMN1019USN-7DIDKR |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Produsentens varenummer: | DMN1019USN-7 |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 2426pF @ 10V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 50.6nC @ 8V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Utvidet beskrivelse: | N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59 |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 1.2V, 2.5V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 12V |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 9.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til DMN1019USN-7
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN | Forespørsel |
 |
DMN10H099SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A | Forespørsel |
 |
DMN1019UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | Forespørsel |
|
DMN1019UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | Forespørsel |
 |
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | Forespørsel |
 |
DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | Forespørsel |
 |
DMN1016UCB6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6 | Forespørsel |
 |
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | Forespørsel |
|
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | Forespørsel |
|
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TSOT26 | Forespørsel |
|
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | Forespørsel |
|
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Forespørsel |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog