Kjøpe DMN10H170SVT-13 med BYCHPS
Kjøp med garanti
DMN10H170SVT-13
- Delenummer:
- DMN10H170SVT-13
- Produsent:
- Diodes Incorporated
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
- Lead Free Status / RoHS Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Tilgjengelig mengde:
- 17183 Pieces
- Dataark:
- DMN10H170SVT-13.pdf
Introduksjon
BYCHIPS er strømprodusenten for DMN10H170SVT-13, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss din kjøpsplan for DMN10H170SVT-13 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
spesifikasjoner
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | TSOT-26 |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 1.2W (Ta) |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andre navn: | DMN10H170SVT-13DI |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Produsentens varenummer: | DMN10H170SVT-13 |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 1167pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 9.7nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Utvidet beskrivelse: | N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26 |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 100V |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til DMN10H170SVT-13
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Forespørsel |
 |
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TSOT26 | Forespørsel |
|
DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Forespørsel |
|
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Forespørsel |
 |
DMN10H170SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Forespørsel |
|
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | Forespørsel |
 |
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 | Forespørsel |
|
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Forespørsel |
|
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Forespørsel |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog