Kjøpe DMN65D8LFB-7 med BYCHPS
Kjøp med garanti
DMN65D8LFB-7
- Delenummer:
- DMN65D8LFB-7
- Produsent:
- Diodes Incorporated
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
- Lead Free Status / RoHS Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Tilgjengelig mengde:
- 14367 Pieces
- Dataark:
- DMN65D8LFB-7.pdf
Introduksjon
BYCHIPS er strømprodusenten for DMN65D8LFB-7, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss din kjøpsplan for DMN65D8LFB-7 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
spesifikasjoner
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | X1-DFN1006-3 |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 115mA, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 430mW (Ta) |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | 3-UFDFN |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Produsentens varenummer: | DMN65D8LFB-7 |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 25pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | - |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Utvidet beskrivelse: | N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3 |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 60V |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 260mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til DMN65D8LFB-7
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323 | Forespørsel |
 |
DMN65D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Forespørsel |
 |
DMN65D8LDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 | Forespørsel |
 |
DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | Forespørsel |
|
DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 | Forespørsel |
 |
DMN65D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | Forespørsel |
 |
HUFA76609D3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA | Forespørsel |
|
DMN65D8LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Forespørsel |
|
DMN65D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 | Forespørsel |
 |
BUK9675-55A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK | Forespørsel |
 |
IXTH12N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Forespørsel |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog