Kjøpe DMT10H010LSS-13 med BYCHPS
Kjøp med garanti
DMT10H010LSS-13
- Delenummer:
- DMT10H010LSS-13
- Produsent:
- Diodes Incorporated
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 100V SO-8
- Lead Free Status / RoHS Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Tilgjengelig mengde:
- 17297 Pieces
- Dataark:
- DMT10H010LSS-13.pdf
Introduksjon
BYCHIPS er strømprodusenten for DMT10H010LSS-13, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss din kjøpsplan for DMT10H010LSS-13 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
spesifikasjoner
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.8V @ 250µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | 8-SO |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 1.4W (Ta) |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Produsentens varenummer: | DMT10H010LSS-13 |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 3000pF @ 50V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Utvidet beskrivelse: | N-Channel 100V 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 100V |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 100V SO-8 |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til DMT10H010LSS-13
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A | Forespørsel |
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | Forespørsel |
 |
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | Forespørsel |
 |
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Forespørsel |
|
DMT10H015LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 8.3A | Forespørsel |
|
DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R | Forespørsel |
 |
DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | Forespørsel |
|
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | Forespørsel |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Forespørsel |
|
DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | Forespørsel |
|
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | Forespørsel |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog