Kjøpe FQA6N80_F109 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | TO-3PN |
Serie: | QFET® |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 185W (Tc) |
emballasje: | Tube |
Pakke / tilfelle: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens varenummer: | FQA6N80_F109 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 1500pF @ 25V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 800V 6.3A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 800V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 6.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |