IPB036N12N3 G
IPB036N12N3 G
Delenummer:
IPB036N12N3 G
Produsent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
15338 Pieces
Dataark:
IPB036N12N3 G.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for IPB036N12N3 G, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for IPB036N12N3 G via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe IPB036N12N3 G med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:4V @ 270µA
Vgs (maks):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PG-TO263-7
Serie:OptiMOS™
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:3.6 mOhm @ 100A, 10V
Strømdissipasjon (maks):300W (Tc)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Andre navn:IPB036N12N3 G-ND
IPB036N12N3 GTR
IPB036N12N3G
IPB036N12N3GATMA1
SP000675204
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:12 Weeks
Produsentens varenummer:IPB036N12N3 G
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:13800pF @ 60V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:211nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 120V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):10V
Drain til Source Voltage (VDSS):120V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer