IPB049NE7N3 G
IPB049NE7N3 G
Delenummer:
IPB049NE7N3 G
Produsent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
14274 Pieces
Dataark:
IPB049NE7N3 G.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for IPB049NE7N3 G, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for IPB049NE7N3 G via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe IPB049NE7N3 G med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:3.8V @ 91µA
Vgs (maks):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PG-TO263-3
Serie:OptiMOS™
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:4.9 mOhm @ 80A, 10V
Strømdissipasjon (maks):150W (Tc)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andre navn:IPB049NE7N3 G-ND
IPB049NE7N3G
IPB049NE7N3GATMA1
SP000641752
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:12 Weeks
Produsentens varenummer:IPB049NE7N3 G
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:4750pF @ 37.5V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:68nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 75V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):10V
Drain til Source Voltage (VDSS):75V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer