Kjøpe IPI65R110CFDXKSA1 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4.5V @ 1.3mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | PG-TO262-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 277.8W (Tc) |
emballasje: | Tube |
Pakke / tilfelle: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Andre navn: | IPI65R110CFD IPI65R110CFD-ND SP000896398 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 16 Weeks |
Produsentens varenummer: | IPI65R110CFDXKSA1 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 650V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262 |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 31.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |