Kjøpe IRFBE30PBF med BYCHPS
Kjøp med garanti
IRFBE30PBF
- Delenummer:
- IRFBE30PBF
- Produsent:
- Vishay / Siliconix
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
- Lead Free Status / RoHS Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Tilgjengelig mengde:
- 17982 Pieces
- Dataark:
- 1.IRFBE30PBF.pdf2.IRFBE30PBF.pdf
Introduksjon
BYCHIPS er strømprodusenten for IRFBE30PBF, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss din kjøpsplan for IRFBE30PBF via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
spesifikasjoner
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 125W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | TO-220-3 |
| Andre navn: | *IRFBE30PBF |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 11 Weeks |
| Produsentens varenummer: | IRFBE30PBF |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Utvidet beskrivelse: | N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 800V |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 4.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til IRFBE30PBF
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE30L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | Forespørsel |
 |
IRFBE30STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | Forespørsel |
|
IRFBE30STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | Forespørsel |
|
IRFBE30STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | Forespørsel |
|
IRFBE20S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK | Forespørsel |
|
IRFBE30S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | Forespørsel |
 |
IRFBE30 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | Forespørsel |
 |
IRFBE30LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | Forespørsel |
|
IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | Forespørsel |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog