Kjøpe IRFD113PBF med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | 4-HVMDIP |
Serie: | - |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 800 mOhm @ 800mA, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 1W (Tc) |
emballasje: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 10 Weeks |
Produsentens varenummer: | IRFD113PBF |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 200pF @ 25V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 60V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 60V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 800mA (Tc) |
Email: | [email protected] |