Kjøpe NE3516S02-A med BYCHPS
Kjøp med garanti
NE3516S02-A
- Delenummer:
- NE3516S02-A
- Produsent:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Beskrivelse:
- IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
- Lead Free Status / RoHS Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Tilgjengelig mengde:
- 19208 Pieces
- Dataark:
- NE3516S02-A.pdf
Introduksjon
BYCHIPS er strømprodusenten for NE3516S02-A, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss din kjøpsplan for NE3516S02-A via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
spesifikasjoner
| Spenning - Test: | 2V |
|---|---|
| Spenningsvurdering: | 4V |
| Transistor Type: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Leverandør Enhetspakke: | S02 |
| Serie: | - |
| Power - Output: | 165mW |
| emballasje: | Bulk |
| Pakke / tilfelle: | 4-SMD, Flat Leads |
| Støy Figur: | 0.35dB |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens varenummer: | NE3516S02-A |
| Gevinst: | 14dB |
| Frekvens: | 12GHz |
| Utvidet beskrivelse: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 |
| Beskrivelse: | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
| Nåværende vurdering: | 60mA |
| Nåværende - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til NE3516S02-A
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3511S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Forespørsel |
|
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Forespørsel |
 |
PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | Forespørsel |
 |
NE3513M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Forespørsel |
 |
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Forespørsel |
|
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Forespørsel |
|
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Forespørsel |
|
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Forespørsel |
|
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Forespørsel |
|
NE3510M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Forespørsel |
|
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Forespørsel |
|
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Forespørsel |
|
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Forespørsel |
|
NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Forespørsel |
|
NE3512S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Forespørsel |
|
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | Forespørsel |
|
NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | Forespørsel |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog