NJVMJD112G
NJVMJD112G
Delenummer:
NJVMJD112G
Produsent:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivelse:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
17032 Pieces
Dataark:
NJVMJD112G.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for NJVMJD112G, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for NJVMJD112G via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe NJVMJD112G med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Spenning - Samler Emitter Breakdown (Max):100V
Vce Metning (Maks) @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
Transistor Type:NPN - Darlington
Leverandør Enhetspakke:DPAK
Serie:-
Strøm - Maks:1.75W
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Driftstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:6 Weeks
Produsentens varenummer:NJVMJD112G
Frekvens - Overgang:25MHz
Utvidet beskrivelse:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Beskrivelse:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 2A, 3V
Gjeldende - Samler Cutoff (Maks):20µA
Nåværende - Samler (Ic) (Maks):2A
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer