NTD12N10-1G
NTD12N10-1G
Delenummer:
NTD12N10-1G
Produsent:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
13512 Pieces
Dataark:
NTD12N10-1G.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for NTD12N10-1G, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for NTD12N10-1G via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe NTD12N10-1G med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:4V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:I-Pak
Serie:-
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:165 mOhm @ 6A, 10V
Strømdissipasjon (maks):1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
emballasje:Tube
Pakke / tilfelle:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens varenummer:NTD12N10-1G
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:550pF @ 25V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:20nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-Pak
Drain til Source Voltage (VDSS):100V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer