RN1961FE(TE85L,F)
RN1961FE(TE85L,F)
Delenummer:
RN1961FE(TE85L,F)
Produsent:
Toshiba Semiconductor
Beskrivelse:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
19721 Pieces
Dataark:
RN1961FE(TE85L,F).pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for RN1961FE(TE85L,F), vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for RN1961FE(TE85L,F) via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe RN1961FE(TE85L,F) med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Spenning - Samler Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Metning (Maks) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leverandør Enhetspakke:ES6
Serie:-
Motstand - Emitter Base (R2) (Ohms):4.7k
Motstand - Base (R1) (Ohms):4.7k
Strøm - Maks:100mW
emballasje:Cut Tape (CT)
Pakke / tilfelle:SOT-563, SOT-666
Andre navn:RN1961FE(TE85LF)CT
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens varenummer:RN1961FE(TE85L,F)
Frekvens - Overgang:250MHz
Utvidet beskrivelse:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Beskrivelse:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Gjeldende - Samler Cutoff (Maks):100nA (ICBO)
Nåværende - Samler (Ic) (Maks):100mA
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer