Kjøpe SI2302DDS-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 850mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (maks): | ±8V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Strømdissipasjon (maks): | 710mW (Ta) |
emballasje: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andre navn: | SI2302DDS-T1-GE3TR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 24 Weeks |
Produsentens varenummer: | SI2302DDS-T1-GE3 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | - |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 5.5nC @ 4.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 20V 2.9A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 2.5V, 4.5V |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CHAN 20V SOT23 |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Tj) |
Email: | [email protected] |