SI2333DDS-T1-GE3
Delenummer:
SI2333DDS-T1-GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
15819 Pieces
Dataark:
SI2333DDS-T1-GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SI2333DDS-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SI2333DDS-T1-GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SI2333DDS-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (maks):±8V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:TrenchFET®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:28 mOhm @ 5A, 4.5V
Strømdissipasjon (maks):1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andre navn:SI2333DDS-T1-GE3TR
SI2333DDST1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:24 Weeks
Produsentens varenummer:SI2333DDS-T1-GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:1275pF @ 6V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:35nC @ 8V
FET Type:P-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):1.5V, 4.5V
Drain til Source Voltage (VDSS):12V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer