Kjøpe SI6467BDQ-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 850mV @ 450µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | 8-TSSOP |
Serie: | TrenchFET® |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V |
Strømdissipasjon (maks): | 1.05W (Ta) |
emballasje: | Original-Reel® |
Pakke / tilfelle: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Andre navn: | SI6467BDQ-T1-GE3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens varenummer: | SI6467BDQ-T1-GE3 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | - |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 70nC @ 4.5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | P-Channel 12V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 12V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 6.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |