SI7309DN-T1-GE3
SI7309DN-T1-GE3
Delenummer:
SI7309DN-T1-GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
15534 Pieces
Dataark:
SI7309DN-T1-GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SI7309DN-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SI7309DN-T1-GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SI7309DN-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (maks):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PowerPAK® 1212-8
Serie:TrenchFET®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:115 mOhm @ 3.9A, 10V
Strømdissipasjon (maks):3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:PowerPAK® 1212-8
Andre navn:SI7309DN-T1-GE3-ND
SI7309DN-T1-GE3TR
SI7309DNT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:15 Weeks
Produsentens varenummer:SI7309DN-T1-GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:600pF @ 30V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:22nC @ 10V
FET Type:P-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:P-Channel 60V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):4.5V, 10V
Drain til Source Voltage (VDSS):60V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer