SI7392DP-T1-GE3
SI7392DP-T1-GE3
Delenummer:
SI7392DP-T1-GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
15907 Pieces
Dataark:
SI7392DP-T1-GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SI7392DP-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SI7392DP-T1-GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SI7392DP-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:3V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:9.75 mOhm @ 15A, 10V
Strømdissipasjon (maks):1.8W (Ta)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:PowerPAK® SO-8
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens varenummer:SI7392DP-T1-GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:-
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 30V 9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drain til Source Voltage (VDSS):30V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer