SI7882DP-T1-GE3
SI7882DP-T1-GE3
Delenummer:
SI7882DP-T1-GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
12951 Pieces
Dataark:
SI7882DP-T1-GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SI7882DP-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SI7882DP-T1-GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SI7882DP-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:1.4V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Strømdissipasjon (maks):1.9W (Ta)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:PowerPAK® SO-8
Andre navn:SI7882DP-T1-GE3TR
SI7882DPT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens varenummer:SI7882DP-T1-GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:-
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:30nC @ 4.5V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drain til Source Voltage (VDSS):12V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer