SIA411DJ-T1-GE3
SIA411DJ-T1-GE3
Delenummer:
SIA411DJ-T1-GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
16593 Pieces
Dataark:
SIA411DJ-T1-GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SIA411DJ-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SIA411DJ-T1-GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SIA411DJ-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:1V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie:TrenchFET®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Strømdissipasjon (maks):3.5W (Ta), 19W (Tc)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:PowerPAK® SC-70-6
Andre navn:SIA411DJ-T1-GE3TR
SIA411DJT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens varenummer:SIA411DJ-T1-GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:1200pF @ 10V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:38nC @ 8V
FET Type:P-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Drain til Source Voltage (VDSS):20V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer