Kjøpe SIA425EDJ-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (maks): | ±12V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Serie: | TrenchFET® |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Strømdissipasjon (maks): | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
emballasje: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle: | PowerPAK® SC-70-6 |
Andre navn: | SIA425EDJ-T1-GE3TR SIA425EDJT1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 24 Weeks |
Produsentens varenummer: | SIA425EDJ-T1-GE3 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | - |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | - |
FET Type: | P-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 4.5A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 1.8V, 4.5V |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |