SIA430DJ-T1-GE3
SIA430DJ-T1-GE3
Delenummer:
SIA430DJ-T1-GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
14958 Pieces
Dataark:
SIA430DJ-T1-GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SIA430DJ-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SIA430DJ-T1-GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SIA430DJ-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (maks):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie:TrenchFET®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:13.5 mOhm @ 7A, 10V
Strømdissipasjon (maks):3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:PowerPAK® SC-70-6
Andre navn:SIA430DJ-T1-GE3TR
SIA430DJT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:24 Weeks
Produsentens varenummer:SIA430DJ-T1-GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:800pF @ 10V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:18nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):4.5V, 10V
Drain til Source Voltage (VDSS):20V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer