Kjøpe SIHF12N60E-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (maks): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie: | E |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 33W (Tc) |
emballasje: | Original-Reel® |
Pakke / tilfelle: | TO-220-3 Full Pack |
Andre navn: | SIHF12N60E-GE3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 19 Weeks |
Produsentens varenummer: | SIHF12N60E-GE3 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 937pF @ 100V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole |
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |