SIHJ8N60E-T1-GE3
SIHJ8N60E-T1-GE3
Delenummer:
SIHJ8N60E-T1-GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
19284 Pieces
Dataark:
SIHJ8N60E-T1-GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SIHJ8N60E-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SIHJ8N60E-T1-GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SIHJ8N60E-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (maks):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PowerPAK® SO-8
Serie:-
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:520 mOhm @ 4A, 10V
Strømdissipasjon (maks):89W (Tc)
emballasje:Original-Reel®
Pakke / tilfelle:PowerPAK® SO-8
Andre navn:SIHJ8N60E-T1-GE3DKR
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:21 Weeks
Produsentens varenummer:SIHJ8N60E-T1-GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:754pF @ 100V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:44nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 600V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):10V
Drain til Source Voltage (VDSS):600V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer