Kjøpe SIR892DP-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.6V @ 250µA |
---|---|
Vgs (maks): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | PowerPAK® SO-8 |
Serie: | TrenchFET® |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 10A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 5W (Ta), 50W (Tc) |
emballasje: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle: | PowerPAK® SO-8 |
Andre navn: | SIR892DP-T1-GE3TR SIR892DPT1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 24 Weeks |
Produsentens varenummer: | SIR892DP-T1-GE3 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 2645pF @ 10V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 25V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 25V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |