SIRA14DP-T1-GE3
SIRA14DP-T1-GE3
Delenummer:
SIRA14DP-T1-GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
12098 Pieces
Dataark:
1.SIRA14DP-T1-GE3.pdf2.SIRA14DP-T1-GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SIRA14DP-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SIRA14DP-T1-GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SIRA14DP-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (maks):+20V, -16V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:5.1 mOhm @ 10A, 10V
Strømdissipasjon (maks):3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:PowerPAK® SO-8
Andre navn:SIRA14DP-T1-GE3TR
SIRA14DPT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:22 Weeks
Produsentens varenummer:SIRA14DP-T1-GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:1450pF @ 15V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:29nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 30V 58A (Tc) 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):4.5V, 10V
Drain til Source Voltage (VDSS):30V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer