SQJ457EP-T1_GE3
SQJ457EP-T1_GE3
Delenummer:
SQJ457EP-T1_GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 60V 36A SO8
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
15093 Pieces
Dataark:
SQJ457EP-T1_GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SQJ457EP-T1_GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SQJ457EP-T1_GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SQJ457EP-T1_GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (maks):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PowerPAK® SO-8
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 10A, 10V
Strømdissipasjon (maks):68W (Tc)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:PowerPAK® SO-8
Andre navn:SQJ457EP-T1_GE3TR
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:18 Weeks
Produsentens varenummer:SQJ457EP-T1_GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:3400pF @ 25V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:100nC @ 10V
FET Type:P-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:P-Channel 60V 36A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):4.5V, 10V
Drain til Source Voltage (VDSS):60V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 60V 36A SO8
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer