Kjøpe IPD65R660CFDAATMA1 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4.5V @ 214.55µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | PG-TO252-3 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 660 mOhm @ 3.22A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 62.5W (Tc) |
emballasje: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andre navn: | SP000928260 |
Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 16 Weeks |
Produsentens varenummer: | IPD65R660CFDAATMA1 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 543pF @ 100V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 650V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH TO252-3 |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |