Kjøpe IPI08CN10N G med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 130µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | PG-TO262-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 95A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 167W (Tc) |
emballasje: | Tube |
Pakke / tilfelle: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Andre navn: | SP000208926 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens varenummer: | IPI08CN10N G |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 6660pF @ 50V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 100V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 100V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3 |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 95A (Tc) |
Email: | [email protected] |