Kjøpe SI8481DB-T1-E1 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 900mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (maks): | ±8V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
Serie: | TrenchFET® Gen III |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 21 mOhm @ 3A, 4.5V |
Strømdissipasjon (maks): | 2.8W (Tc) |
emballasje: | Original-Reel® |
Pakke / tilfelle: | 4-UFBGA |
Andre navn: | SI8481DB-T1-E1DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 16 Weeks |
Produsentens varenummer: | SI8481DB-T1-E1 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 2500pF @ 10V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 9.7A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 1.8V, 4.5V |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 9.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |