Kjøpe SI8487DB-T1-E1 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
---|---|
Vgs (maks): | ±12V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | 4-Microfoot |
Serie: | TrenchFET® |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 31 mOhm @ 2A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
emballasje: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle: | 4-UFBGA |
Andre navn: | SI8487DB-T1-E1TR SI8487DBT1E1 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 24 Weeks |
Produsentens varenummer: | SI8487DB-T1-E1 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 2240pF @ 15V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | P-Channel 30V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 2.5V, 10V |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 30V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 30V MICROFOOT |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |