Kjøpe SIHJ10N60E-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (maks): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | PowerPAK® SO-8 |
Serie: | E |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 5A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 89W (Tc) |
emballasje: | Cut Tape (CT) |
Pakke / tilfelle: | PowerPAK® SO-8 |
Andre navn: | SIHJ10N60E-T1-GE3CT SIHJ10N60E-T1-GE3CT-ND |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 14 Weeks |
Produsentens varenummer: | SIHJ10N60E-T1-GE3 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 784pF @ 100V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 10A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 10A SO8 |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |