SIR416DP-T1-GE3
SIR416DP-T1-GE3
Delenummer:
SIR416DP-T1-GE3
Produsent:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Lead Free Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgjengelig mengde:
17193 Pieces
Dataark:
SIR416DP-T1-GE3.pdf

Introduksjon

BYCHIPS er strømprodusenten for SIR416DP-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang leveringstid. Vennligst send oss ​​din kjøpsplan for SIR416DP-T1-GE3 via e-post, vil vi gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøpe SIR416DP-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti

spesifikasjoner

Vgs (th) (Maks) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (maks):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Enhetspakke:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds På (Maks) @ Id, Vgs:3.8 mOhm @ 15A, 10V
Strømdissipasjon (maks):5.2W (Ta), 69W (Tc)
emballasje:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfelle:PowerPAK® SO-8
Andre navn:SIR416DP-T1-GE3-ND
SIR416DP-T1-GE3TR
SIR416DPT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:24 Weeks
Produsentens varenummer:SIR416DP-T1-GE3
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds:3350pF @ 20V
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs:90nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funksjonen:-
Utvidet beskrivelse:N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På):4.5V, 10V
Drain til Source Voltage (VDSS):40V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer