Kjøpe SIRA24DP-T1-GE3 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (maks): | +20V, -16V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | PowerPAK® SO-8 |
Serie: | TrenchFET® Gen IV |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 1.4 mOhm @ 15A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 62.5W (Tc) |
emballasje: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle: | PowerPAK® SO-8 |
Andre navn: | SIRA24DP-T1-GE3TR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens Standard Lead Time: | 19 Weeks |
Produsentens varenummer: | SIRA24DP-T1-GE3 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 2650pF @ 10V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 25V 60A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 25V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 25V 60A SO8 |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |