Kjøpe IPD80R1K4CEBTMA1 med BYCHPS
Kjøp med garanti
Vgs (th) (Maks) @ Id: | 3.9V @ 240µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Enhetspakke: | TO-252-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V |
Strømdissipasjon (maks): | 63W (Tc) |
emballasje: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andre navn: | IPD80R1K4CEBTMA1TR SP001100604 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produsentens varenummer: | IPD80R1K4CEBTMA1 |
Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 570pF @ 100V |
Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funksjonen: | - |
Utvidet beskrivelse: | N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
Drain til Source Voltage (VDSS): | 800V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 3.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |